听多了虚拟货币、虚拟现实、虚拟主机……有没有听过虚拟生长？
“要长出高质量的碳化硅（SiC），我们需要对生产工艺进行设计、调试和优化。”晶体材料国家重点实验室教授陈秀芳带领的课题组有一项重要任务——通过物理气相沉积法生长出高质量、大尺寸的SiC单晶材料。
“但实际的生长耗时、耗料，可能也不稳定，通过计算机模拟‘虚拟生长’过程，可提前获知温度、生长速率等信息，”陈秀芳说。这个方法就像“战争推演系统”和实打实地实战一样奏效。
近日，国家重点研发计划“中低压SiC材料器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范”项目召开年中总结会，由山东大学等单位承担的课题一，仅用一年时间就获得了低杂质的6英寸SiC晶体，单晶区直径大于15厘米，为了让这些晶圆能够批量生产，课题组还搭建了拥有自主知识产权的6英寸SiC单晶炉。
项目负责人、浙江大学教授盛况介绍，项目以应用需求为牵引，将实现材料—芯片—模块—充电设备—示范应用的全产业链创新。也就是说，高品质的SiC材料和芯片将成为充电设备的核心部件，经过封装、设计等工艺，为电动汽车高效、高能地充满电力。
“项目组由SiC领域内各环节多个实力较强的单位组成。截至目前，课题二开发了650V和1200V SiC MOSFET芯片，课题三开展了前沿的高K栅极介质的技术研究，研制出了1700V SiC MOSFET芯片，课题四完成了全SiC半桥功率模块的试制，课题五有2台充电样机在北京试运行。”盛况告诉记者，五个课题组就像一个产业链条上的五个关节，互为协作、互为支撑，将共同呈现出SiC从材料获得直到产业落地的全链条。