龙泉驿新闻:第三代半导体:“虚拟生长”引发充电革命(2)

发布时间:2017-10-15 15:57   来源: 成都新闻网  Tag:
新闻导读:第三代半导体:“虚拟生长”引发充电革命(2)由成都新闻网采编:今年下半年,课题一要给课题二、三的承担单位供货,初步完成芯片封装和模块设计。在盛况的任务文件中,有一张七彩的点线图,时间节点和课题任务头...

  “今年下半年,课题一要给课题二、三的承担单位‘供货’,初步完成芯片封装和模块设计。”在盛况的任务文件中,有一张七彩的点线图,时间节点和课题任务头连头、尾接尾,有并行推进的,也有顺序完成的。项目甚至制定了“项目上下游课题间的送样计划和标准”。

  “每次凑在一起都是奔着解决问题来的。”盛况说,前一年的研究正在稳步推进,现阶段我们要做的是在明确的方向下攻克核心技术,进一步落实关键任务。

  如果整个项目是一艘行驶向“新型充电方式”的大船,课题五就是这个船上的舵手,“它明确地提出应用需求、实现目标,而上中游的研发团队则围绕目标制定具体的推进方案。”盛况说。

  作为落地的具体实施者之一,泰科天润半导体科技(北京)有限公司吴海雷告诉科技日报记者,“与现在的充电桩相比,新型SiC充电模块能达到最高96%的电能转化效率。”

  高温环境和空载是传统充电桩的“痛点”,第三代半导体的应用将解决这个问题。吴海雷说,研究表明,传统SiC器件充电模块的工作环境温度达到55℃时,开始降功率输出或停机,新型SiC充电模块在65℃时,才开始降低功率输出,“这基本杜绝了夏天宕机的情况。”

  《节能与新能源汽车产业发展规划(2012—2020年)》显示,到2020年,纯电动汽车和插电式混合动力汽车累计产销量超过500万辆,“这意味着需要建480万个分布式充电桩、1.2万座集中式充换电站。”吴亚雷说。这是一个不断扩张和不断完善相结合的产业,为能源结构的重大调整和新能源对化石能源的革命性颠覆,它的起点是一种名为SiC的完美晶体的生长,紧随其后的是一条严密布局、创新涌动的产业链。

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关键字:  SiC  半导体  物理气相沉积法  充电方式  

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